Elektronikfertigung

GANZHEITLICHE QUALITÄTSSICHERUNG FÜR DIE ELEKTRONIKFERTIGUNG

Durch die steigende Komplexität von Mikroelektronik, wie z.B. Leiterplatten und deren Komponenten, wachsen auch die Anforderungen an die Bauteil- und Lötqualität. Die Fertigung und Montage elektronischer Baugruppen erfordern höchst genaues und kontaminationsfreies Arbeiten. Um die Produktivität zu steigern und Fehlerquoten zu verringern, werden hochpräzise, schnelle und effiziente Lösungen für die Inspektion, Analyse und Messung von Mikroelektronik und Halbleitern benötigt.

Wir unterstützen Ihr Qualitätsmanagement durch zerstörungsfreie und zerstörende Untersuchungen gemäß den Abnahmekriterien für elektronische Baugruppen (IPC-A-610) und Leiterplatten (IPC-A-600), wie z.B. bei der Serienkontrolle von Lötstellen, der optischen Inspektion von Anomalien und Fehlstellen sowie beim Nachweis partikulärer und filmischer Verunreinigungen.

Erfahren Sie mehr über die Analysemöglichkeiten für die Elektronikfertigung

Lötstelleninspektion

Zerstörungsfreie Analyse der Lötqualität mittels 2D-Röntgeninspektion und hochauflösender 3D-Computertomographie

  • Analyse von Lötstellen, wie z.B. Abstand der Lotkugeln, Lotanstieg oder Lotspaltdicke
  • Schrägdurchstrahlung zur Analyse von Be- und Entnetzungsfehlern sowie Lötstellenanomalien, wie z.B. Überschusslot, Nadellöcher, Brückenbildung oder Brüche in der Lotverbindung
  • Bestimmung des Porenanteils (Voids) in Lötstellen oder Leitkleberschichten

Beschichtungen & Schichtaufbau

Darstellung und Analyse von Beschichtungen und deren Aufbau, wie z.B. von Leiterbahnen

  • Makroskopische und mikroskopische Darstellung von Beschichtungen
  • Bemaßung der Funktionsschichten im präparierten Schliff
  • Analyse von Fehlstellen im Leiterbild, wie z.B. Adhäsionsverlust, Reduzierung der Leiterbahnbreite infolge von Kerben, Nadellöchern sowie Schäden an der Oberflächenmetallisierung

Tiefenanalyse

3D-Bildgebung mit der Präparation im Nanomaßstab mittels FIB-SEM-Mikroskopie

Der Funktionsaufbau von Hochleistungselektronik, wie z.B. Chips oder Wafern können wir mittels FIB-SEM-Mikroskopie untersuchen. Mit geringsten thermischen und mechanischen Einflüssen durch hochmoderne Femtosekunden-Laser und Gamma-Ionenstrahl lassen sich Querschnitte direkt im Material erzeugen, sodass empfindliche Schichten bis in die Tiefe analysiert werden können.

Defektanalyse

Defektanalyse ausgefallener Komponenten mittels Licht- und Rasterelektronenmikroskopie

  • Darstellung und Untersuchung von Oberflächenstrukturen und Fehlstellen, wie z.B. Ablagerungen, Risse, Abplatzungen oder Brüche
  • Untersuchung von Ablagerungen, wie z.B. Lötpaste mittels EDX-Analyse zur Bestimmung der chemischen Materialzusammensetzung (Halogene wie Fluor, Chlor, Brom und Jod etc. können explizit nachgewiesen werden)
  • Lichtmikroskopische Untersuchung verschiedener Positionen im Längsschliff

Partikuläre Verunreinigung

Fremdpartikel auf Leiterplatten, die nicht eingebettet oder fixiert sind, können den elektrischen Mindestabstand verringern und das Ausfallrisiko durch Luftströme bis hin zum elektrischen Durchschlag drastisch erhöhen. Auch eingepresste Partikel können zu Fehlfunktionen führen.

  • Flüssigkeitsextraktion mit verschiedenen Medien
  • Manuell oder robotergestützte Luftextraktion mittels Partikel-Saug-System in ESD-Schutzzone
  • Partikelanalyse mittels mikroskopischen und spektroskopischen Verfahren zur Bestimmung von Anzahl, Größenklasse, Materialzusammensetzung und Schädigungsverhalten

Filmische Verunreinigung

Leiterplatten sind bei der Herstellung verschiedener chemisch-filmischer Verunreinigungen ausgesetzt, wie z.B. Lötpasten, Flussmittelrückstände oder Klebstoffen, die bei unsachgemäßer Reinigung beispielsweise zur Verkürzung von Kriechstrecken führen können.

  • Punktuelle Detektion mittels Fluoreszenzmessung
  • Nachweis und Materialbestimmung direkt auf der Oberfläche mittels RAMAN- und FT-IR-Spektroskopie
  • Extraktion der Verunreinigung mittels Rotationsverdampfung sowie anschließender Qualifizierung und Quantifizierung mittels Gaschromatographie gekoppelt mit Flammenionisationsdetektor oder Massenspektrometer
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